
سامسونگ از مدتها پیش اعلام کرده بود که فرآیند طراحی و توسعه تراشههای 11 نانومتری را در دستور کار خود قرار است. اکنون این شرکت اعلام داشته است که در نظر دارد در آینده نزدیک از تراشههای 11 نانومتری خود در اسمارتهایی که در آینده تولید خواهد کرد استفاده کند. سامسونگ کاملا مصمم شده است تا به هر شکل ممکن که شده جایگاه خود در زمینه تراشهها و پردازندهها را مستحکم کند. برای دستیابی به چنین جایگاهی این شرکت باید به شکل گسترده از تراشههای 11 نانومتری در اسمارتفونهایی که قرار است در آینده به بازار وارد شوند استفاده کند. سامسونگ اواخر هفته گذشته اعلام داشت فناوری FinFET را به بخش تولید پردازندههای خود افزوده است. سامسونگ در کنفرانسی که در همین ارتباط برگزار کرد اعلام داشت: «تراشههای مبتنی بر لیتوگرافی 11 نانومتری در مقایسه با تراشههایی که بر مبنای لیتوگرافی 14 نانومتری ساخته میشوند به میزان 15 درصد کارایی بهتری خواهند داشت، 15 درصد سرعت بیشتری خواهند داشت، مصرف انرژی آنها با تراشههای 14 نانومتری یکسان خواهد بود و حجم آنها نیز 10 درصد کمتر خواهد بود.
تراشههای 14 نانومتری این شرکت در حال حاضر در محصولات سری A و همچنین اسمارتفونهای سری J به کار گرفته میشود.» سامسونگ اعلام داشته است تراشههای 11 نانومتری با کارکرد LPP قرار است جایگزین تراشههای 14 نانومتری همچون اسنپدراگون 630 و 660 شوند که در گوشیها میان رده به کار گرفته میشوند. تراشههای 7LPP که بر مبنای لیتوگرافی EUV ساخته خواهند شد قرار است در نیمه دوم سال آینده به کار گرفته شوند. سامسونگ از سال 2014 میلادی تا به امروز، 200 هزار ویفر را با فناوری لیتوگرافی EUV تهیه کرده است. رایان لی، مدیر بخش بازاریابی سامسونگ گفته است: «ما اکنون فناوری 11 نانومتری را به نقشه راه خود اضافه کردهایم. همچنین یک نقشه راه جامع را تدوین کردهایم که تا سه سال آینده تراشههای 14، 11، 10، 8 و 7 نانومتری را در ساخت اسمارتفونها به کار ببریم.» سامسونگ در نظر دارد از تراشههای جدید خود در محصولات میان رده و در صورت امکان پرچمداران خود استفاده کند. در نتیجه این احتمال وجود دارد که اسمارتفونهای سری A و سری J و همچنین سری C که قرار است در سال 2018 میلادی تولید شوند از این تراشهها استفاده کنند.